تکه هایی از این پایان نامه :

نوشتن در سلول جدید

در این سلول در طی فرایند نوشتن در سلول ترانزیستور شماره 5 که به نام ترانزیستور قطع  کننده شناخته می گردد و گره­ای که تغذیه معکوس کننده ترانزیستورهای 3و 4 را تامین می کند را در سطح ولتاژ VDD  نگه می­دارد که این گره در شکل با نام  N  مشخص شده می باشد به همین علت در طی عملیات نوشتن در سلول جدید خط Read  در سطح زمین نگه داشته می­گردد و پس از آن سلول مراحل بعدی را طی می­کند (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).

آغاز داده مورد نظر “0 ” یا “1” منطقی روی خط داده قرار می­گیرد سپس با اعمال ولتاژ بالا به خط فعال سازی داده این خط فعال شده در نتیجه ترانزیستور NMOS دستیابی روشن می­گردد و داده­ای که از مرحله قبل روی خط داده قرار گرفته بود از مسیر ترانزیستور دستیابی روی به گره ST می­رسد و در این گره قرار می­گیرد در نتیجه ولتاژ گره معادل با داده خوانده شده می­گردد (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).

در این مرحله حالت سلول تغییر می­کند که در این وضعت دو حالت رخ می­دهد:

    شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

  • داده­ای که روی خط داده قرار گرفته برابر 1 باشد دراین حالت ولتاژ گرهST به ولتاژ سطح بالا می­آید که این امر از طریق ترانزیستور دستیابی اتفاق می افتد در نتیجه این فرایند ورودی سطح بالا یا “1” منطقی به معکوس کننده ترانزیستورهای 3 و4 اعمال می گردد که سبب می گردد ترانزیستورهای 3 روشن و 4 خاموش گردند که روشن شدن ترانزیستور 3 سبب پایین آمدن و زمین شدن ولتاژ گره STB می گردد حال که ولتاژ گره STB  پایین آمد با در نظر داشتن این نکته که گیت ترانزیستور شماره 2 به گره STB اتصال دارد و این تراتزیستور از نوع PMOS می­باشد این ترانزیستور روشن شده و یک مسیر فیدبک مثبت توسط ترانزیستورهای شماره 2 و 3 ایجاد می­گردد که این مسیر فیدبک مثبت سبب نگهداری داده 1 در سلول می­گردد (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word